- 加熱爐設(shè)備
- 晶體及材料
- 破碎/球磨設(shè)備
- 壓片設(shè)備
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- 電池研發(fā)設(shè)備
- 薄膜制備
- 配件
- 其它實驗室設(shè)備
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技術(shù)參數(shù)產(chǎn)品視頻實驗案例警示/應(yīng)用提示配件詳情
| 技術(shù)參數(shù)
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單晶： | InP | 摻雜： | None；Sn；S；Fe：Zn | 硬度： | 3.0莫氏硬度 | 密度： | 4.78 g/cm3 | 導電類型： | N；N；N；Si；P | 折射率： | 3.45 | 載流子濃度cm-3 ： | 1-2x1016 、1-3x1018 、1-4x1018、6-4x1018 | 位錯密度cm-2 ： | <5x104 | 生長方法： | LEC | 溫度： | 1072℃ | 彈性模量： | 7.1E11dyn Cm-2 |
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| 常規(guī)尺寸
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常規(guī)晶向： 常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm； 拋光情況：單拋或雙拋; 表面粗糙度Ra：<15A 注：可按客戶需求定制相應(yīng)的方向和尺寸。 |
| 備注
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1000級超凈室100級超凈袋 |
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